今年2月，SK海力士（SK hynix）与闪迪（SanDisk）联合举办了“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。其中闪迪是更为积极的一方，毕竟SK海力士还有广受客户欢迎的高利润HBM产品线，而闪迪要进一步切入AI市场，需要通过HBF寻找更多的机会。

据TrendForce报道，闪迪正在推动下一代HBF技术的开发，希望能解决限制容量的结构问题，从而加入更多的存储单元。根据闪迪早前申请的一份专利，显示将计算芯片堆叠在NAND闪存上方，另外同一中介层上还能放置HBM芯片，位于计算芯片与NAND闪存周围，最终将这些模块封装在一起。

闪迪的这一做法源于HBM固有的局限性，尤其是容量方面的限制，另外还有HBF尚未完全解决的挑战，包括延迟、能效、以及系统层集成的复杂性。为了克服HBM的容量问题，闪迪和SK海力士提出了HBF，与HBM类似的设计理念，垂直堆叠多层NAND闪存，并通过硅孔孔（TSV）连接，形成统一的内存堆栈。这次提出的是一种3D堆叠的新设计，将一个基于CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术构建的NAND闪存模块置于GPU等计算芯片的下方。

在这种配置下，HBM仍会集成在同一个中间介体上，在整体内存-计算层级中将扮演独立角色。该架构允许HBM处理即时高速内存操作，而NAND闪存层则用于读写密集型工作负载和大规模数据存储。